技术细节是攻克光刻机难点。给晶圆手术植入晶体管是芯片制造工艺核心。缩小版二极管是芯片里面需用到的，一堆二极管构筑成二进制数字，历经逻辑运算形成机器语言。

芯片越高级，需求的二极管越多，谁能实现在几平方厘米的面积上集成上千亿个二极管谁就能赢得市场。一些公司实现将这些二极管“印”上去，先有掩模，掩模有了，还需要晶圆。从石英砂到单晶硅，再切割打磨成晶圆，再在晶圆上涂一层光刻胶。

光刻机不是在雕刻晶圆，而是在光刻胶那层雕刻出了另一个“模”。光刻胶“模”雕刻好，下一步是蚀刻，用的是蚀刻机。一堆硅原子里射入一个磷原子，离子注入技术，28纳米及以上，我方全流程自给自足。现在尚能卡脖子的仅剩光刻机了，而且还只是EUV这种支持5纳米甚至以下先进制成的光刻机。

面对美方在EUV光刻机等高端技术领域的限制，当前我方正不遗余力地加大对光刻机等关键技术的研发投入，设立专项资金，支持相关企业和科研机构。加强光电子、精密机械等领域的人才培养，吸引全球顶尖人才，打造高水平的研发团队。重点攻克EUV光源、光学系统等核心技术，逐步实现国产化替代。

与欧洲、日本、韩国等拥有光刻机技术的国家和地区深化合作，减少对单一国家的依赖。积极参与光刻机技术国际标准的制定，提升话语权。在自主研发的同时，保持开放态度，与国际伙伴共同推动技术进步。

在突破先进制程的同时，继续发展成熟制程，满足市场需求。不断探索新技术，关注量子计算、光子芯片等新兴技术，争取在新领域实现突破。不断完善产业链，加强半导体材料、设备等上下游产业链的协同发展，提升整体竞争力。

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